1MBI900V-120-50 - аналоги и описание IGBT

 

1MBI900V-120-50 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 1MBI900V-120-50

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4280 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1080 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 320 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 1MBI900V-120-50

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI900V-120-50 даташит

 0.1. Size:254K  fuji
 1mbi900v-120-50.pdf pdf_icon

1MBI900V-120-50

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 1MBI900V-120-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 900A / 1 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Charact

Другие IGBT... 1MBI600PX-140 , 1MBI600S-120 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 , 1MBI600V-120-50 , 1MBI75L-060 , 1MBI800U4B-120 , 1MBI800UG-330 , CRG75T60AK3HD , 2MBI1000VXB-170E-50 , 2MBI100HB-120-50 , 2MBI100J-120 , 2MBI100N-060 , 2MBI100N-120 , 2MBI100NB-120 , 2MBI100NC-120 , 2MBI100PC-140 .

History: 1MBI200HH-120L-50 | 20MT120UFAPBF | 2MBI225VJ-120-50 | 100MT060WDF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.