Справочник IGBT. 1MBI900V-120-50

 

1MBI900V-120-50 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBI900V-120-50
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1080 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 320 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 1MBI900V-120-50

 

 

1MBI900V-120-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:254K  fuji
 1mbi900v-120-50.pdf

1MBI900V-120-50 1MBI900V-120-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI900V-120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 900A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Charact

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top