Справочник IGBT. 1MBI900V-120-50

 

1MBI900V-120-50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBI900V-120-50
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1080 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 320 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для 1MBI900V-120-50

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI900V-120-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:254K  fuji
 1mbi900v-120-50.pdf pdf_icon

1MBI900V-120-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI900V-120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 900A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Charact

Другие IGBT... 1MBI600PX-140 , 1MBI600S-120 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 , 1MBI600V-120-50 , 1MBI75L-060 , 1MBI800U4B-120 , 1MBI800UG-330 , TGD30N40P , 2MBI1000VXB-170E-50 , 2MBI100HB-120-50 , 2MBI100J-120 , 2MBI100N-060 , 2MBI100N-120 , 2MBI100NB-120 , 2MBI100NC-120 , 2MBI100PC-140 .

 

 
Back to Top

 


 
.