2MBI150L-120 Todos los transistores

 

2MBI150L-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2MBI150L-120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

2MBI150L-120 Datasheet (PDF)

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2MBI150L-120

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2MBI150L-120

IGBT Module2MBI150SC-1201200V / 150A 2 in one-packageFeatures High speed switching Voltage drive Low inductance module structureApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supply Industrial machines, such as Welding machinesMaximum ratings and characteristicsAbsolute maximum ratings (at Tc=25C unless other

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History: IRG4PC30FPBF | FF200R12KT3 | IXGH36N60B3D4 | APT150GT120JR | MMG300D170B | NGTB40N120FL2WG | CRG15T60A94S

 

 
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