Справочник IGBT. 2MBI150L-120

 

2MBI150L-120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2MBI150L-120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

2MBI150L-120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  fuji
2mbi150l-120.pdfpdf_icon

2MBI150L-120

 5.1. Size:142K  fuji
2mbi150l-060.pdfpdf_icon

2MBI150L-120

 6.1. Size:154K  fuji
2mbi150lb-060.pdfpdf_icon

2MBI150L-120

 7.1. Size:61K  fuji
2mbi150sc-120.pdfpdf_icon

2MBI150L-120

IGBT Module2MBI150SC-1201200V / 150A 2 in one-packageFeatures High speed switching Voltage drive Low inductance module structureApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supply Industrial machines, such as Welding machinesMaximum ratings and characteristicsAbsolute maximum ratings (at Tc=25C unless other

Другие IGBT... 2MBI100U4A-120 , 2MBI100UA-120 , 2MBI100VA-120-50 , 2MBI1200U4G-120 , 2MBI1200U4G-170 , 2MBI150HH-120-50 , 2MBI150J-120 , 2MBI150L-060 , XNF15N60T , 2MBI150LB-060 , 2MBI150N-060 , 2MBI150N-120 , 2MBI150NB-120 , 2MBI150NC-060 , 2MBI150NC-120 , 2MBI150PC-140 , 2MBI150S-120 .

History: IXGH40N120A2 | MMG75J120U6TC | DM2G100SH6N | CM300DU-12NFH | MMG300D170B | TT075U065FBC | 2MBI150L-060

 

 
Back to Top

 


 
.