2MBI150L-120 - аналоги и описание IGBT

 

2MBI150L-120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2MBI150L-120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 2MBI150L-120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2MBI150L-120 даташит

 ..1. Size:147K  fuji
2mbi150l-120.pdfpdf_icon

2MBI150L-120

 5.1. Size:142K  fuji
2mbi150l-060.pdfpdf_icon

2MBI150L-120

 6.1. Size:154K  fuji
2mbi150lb-060.pdfpdf_icon

2MBI150L-120

 7.1. Size:61K  fuji
2mbi150sc-120.pdfpdf_icon

2MBI150L-120

IGBT Module 2MBI150SC-120 1200V / 150A 2 in one-package Features High speed switching Voltage drive Low inductance module structure Applications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum ratings and characteristics Absolute maximum ratings (at Tc=25 C unless other

Другие IGBT... 2MBI100U4A-120 , 2MBI100UA-120 , 2MBI100VA-120-50 , 2MBI1200U4G-120 , 2MBI1200U4G-170 , 2MBI150HH-120-50 , 2MBI150J-120 , 2MBI150L-060 , FGL60N100BNTD , 2MBI150LB-060 , 2MBI150N-060 , 2MBI150N-120 , 2MBI150NB-120 , 2MBI150NC-060 , 2MBI150NC-120 , 2MBI150PC-140 , 2MBI150S-120 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.