2MBI50F-120 Todos los transistores

 

2MBI50F-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2MBI50F-120
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 360 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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2MBI50F-120 Datasheet (PDF)

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History: IGW60N60H3 | AOK30B60D | CM200E3U-24F | FGH75T65SHDTLN4

 

 
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