2MBI50F-120 Todos los transistores

 

2MBI50F-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2MBI50F-120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 360 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

2MBI50F-120 Datasheet (PDF)

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History: DL2G100SH6N | IXGC16N60C2 | AOK20B65M2 | APT20GF120KR | AFGHL40T65SPD | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX

 

 
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