2MBI50F-120 - аналоги и описание IGBT

 

2MBI50F-120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2MBI50F-120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 2MBI50F-120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2MBI50F-120 даташит

 ..1. Size:51K  fuji
 2mbi50f-120.pdf pdf_icon

2MBI50F-120

 8.1. Size:174K  fuji
 2mbi50j-060.pdf pdf_icon

2MBI50F-120

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.2. Size:87K  fuji
 2mbi50l-060.pdf pdf_icon

2MBI50F-120

 8.3. Size:49K  fuji
 2mbi50l-120.pdf pdf_icon

2MBI50F-120

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2MBI450U4J-120-50 , 2MBI450U4N-120-50 , 2MBI450U4N-170-50 , 2MBI450VE-120-50 , 2MBI450VH-120-50 , 2MBI450VJ-120-50 , 2MBI450VN-120-50 , 2MBI450VN-170-50 , IKW30N60H3 , 2MBI50J-060 , 2MBI50L-060 , 2MBI50L-120 , 2MBI50N-060 , 2MBI50N-120 , 2MBI550VJ-170-50 , 2MBI550VN-170-50 , 2MBI600NT-060 .

History: 1MBI600LP-060 | 2MBI300VE-120-50 | 1MBI400NA-120 | 1MBI2400U4D-120

 

 

 


 
↑ Back to Top
.