Справочник IGBT. 2MBI50F-120

 

2MBI50F-120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2MBI50F-120
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

2MBI50F-120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  fuji
 2mbi50f-120.pdf pdf_icon

2MBI50F-120

 8.1. Size:174K  fuji
 2mbi50j-060.pdf pdf_icon

2MBI50F-120

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.2. Size:87K  fuji
 2mbi50l-060.pdf pdf_icon

2MBI50F-120

 8.3. Size:49K  fuji
 2mbi50l-120.pdf pdf_icon

2MBI50F-120

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2MBI450U4J-120-50 , 2MBI450U4N-120-50 , 2MBI450U4N-170-50 , 2MBI450VE-120-50 , 2MBI450VH-120-50 , 2MBI450VJ-120-50 , 2MBI450VN-120-50 , 2MBI450VN-170-50 , TGD30N40P , 2MBI50J-060 , 2MBI50L-060 , 2MBI50L-120 , 2MBI50N-060 , 2MBI50N-120 , 2MBI550VJ-170-50 , 2MBI550VN-170-50 , 2MBI600NT-060 .

History: NCE75TD120BTP4 | IRG4BC20K

 

 
Back to Top

 


 
.