2MBI900VXA-120P-50 Todos los transistores

 

2MBI900VXA-120P-50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2MBI900VXA-120P-50
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

2MBI900VXA-120P-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:318K  fuji
 2mbi900vxa-120p-50.pdf pdf_icon

2MBI900VXA-120P-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/2MBI900VXA-120P-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 900A / 2 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Char

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History: IGB20N65S5 | SKM150GB174D | FD800R33KF2C-K | IGW75N60H3 | CM400DY-24NF | IKB40N65ES5 | VS-GB100TP120N

 

 
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