2MBI900VXA-120P-50 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2MBI900VXA-120P-50
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
Encapsulados: MODULE
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2MBI900VXA-120P-50 datasheet
2mbi900vxa-120p-50.pdf
http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 2MBI900VXA-120P-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 900A / 2 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Char
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History: 2MBI800U4G-170
History: 2MBI800U4G-170
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