Справочник IGBT. 2MBI900VXA-120P-50

 

2MBI900VXA-120P-50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2MBI900VXA-120P-50
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

2MBI900VXA-120P-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:318K  fuji
 2mbi900vxa-120p-50.pdf pdf_icon

2MBI900VXA-120P-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/2MBI900VXA-120P-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 900A / 2 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Char

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: 2MBI300VH-120-50 | NCE100ED65VT4 | IRG4PC40FDPBF | IXGH40N60C2 | IXYK100N120C3 | 2MBI300NB-060 | MMGT15H120XB6C

 

 
Back to Top

 


 
.