2MBI900VXA-120P-50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: 2MBI900VXA-120P-50
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для 2MBI900VXA-120P-50
2MBI900VXA-120P-50 Datasheet (PDF)
2mbi900vxa-120p-50.pdf

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/2MBI900VXA-120P-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 900A / 2 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Char
Другие IGBT... 2MBI75N-060 , 2MBI75N-120 , 2MBI75P-140 , 2MBI75S-120 , 2MBI75U4A-120 , 2MBI75VA-120-50 , 2MBI800U4G-120 , 2MBI800U4G-170 , GT60N321 , 4MBI300VG-120R-50 , 4MBI400VG-060R-50 , 6MBI100F-060 , 6MBI100U2B-060 , 6MBI100VA-060-50 , 6MBI100VA-120-50 , 6MBI100VB-120-50 , 6MBI100VW-060-50 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet