4MBI300VG-120R-50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 4MBI300VG-120R-50
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 1250
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 300
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.05
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 700
Paquete / Cubierta: MODULE
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4MBI300VG-120R-50 Datasheet (PDF)
4mbi300vg-120r-50.pdf
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/4MBI300VG-120R-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 300A / IGBT, 600V/300A/RB-IGBT, 4 in one packageFeaturesHigher EfficiencyOptimized A (T-type) -3 level circuitLow inductance module structureFeaturing Reverse Blocking IGBT (RB-IGBT)ApplicationsInverter for Motor DriveUninterruptible Power SupplyPower conditione
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Liste
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