4MBI300VG-120R-50 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 4MBI300VG-120R-50
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 700 nS
Encapsulados: MODULE
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4MBI300VG-120R-50 datasheet
4mbi300vg-120r-50.pdf
http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 4MBI300VG-120R-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 300A / IGBT, 600V/300A/RB-IGBT, 4 in one package Features Higher Efficiency Optimized A (T-type) -3 level circuit Low inductance module structure Featuring Reverse Blocking IGBT (RB-IGBT) Applications Inverter for Motor Drive Uninterruptible Power Supply Power conditione
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History: IXXX300N60C3 | IXXX160N65C4
History: IXXX300N60C3 | IXXX160N65C4
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