4MBI300VG-120R-50 - аналоги и описание IGBT

 

4MBI300VG-120R-50 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 4MBI300VG-120R-50

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 700 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 4MBI300VG-120R-50

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

4MBI300VG-120R-50 даташит

 0.1. Size:441K  fuji
 4mbi300vg-120r-50.pdf pdf_icon

4MBI300VG-120R-50

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 4MBI300VG-120R-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 300A / IGBT, 600V/300A/RB-IGBT, 4 in one package Features Higher Efficiency Optimized A (T-type) -3 level circuit Low inductance module structure Featuring Reverse Blocking IGBT (RB-IGBT) Applications Inverter for Motor Drive Uninterruptible Power Supply Power conditione

Другие IGBT... 2MBI75N-120 , 2MBI75P-140 , 2MBI75S-120 , 2MBI75U4A-120 , 2MBI75VA-120-50 , 2MBI800U4G-120 , 2MBI800U4G-170 , 2MBI900VXA-120P-50 , IRG4PC40W , 4MBI400VG-060R-50 , 6MBI100F-060 , 6MBI100U2B-060 , 6MBI100VA-060-50 , 6MBI100VA-120-50 , 6MBI100VB-120-50 , 6MBI100VW-060-50 , 6MBI100VW-120-50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.