Справочник IGBT. 4MBI300VG-120R-50

 

4MBI300VG-120R-50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 4MBI300VG-120R-50
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 700 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для 4MBI300VG-120R-50

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

4MBI300VG-120R-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:441K  fuji
 4mbi300vg-120r-50.pdf pdf_icon

4MBI300VG-120R-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/4MBI300VG-120R-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 300A / IGBT, 600V/300A/RB-IGBT, 4 in one packageFeaturesHigher EfficiencyOptimized A (T-type) -3 level circuitLow inductance module structureFeaturing Reverse Blocking IGBT (RB-IGBT)ApplicationsInverter for Motor DriveUninterruptible Power SupplyPower conditione

Другие IGBT... 2MBI75N-120 , 2MBI75P-140 , 2MBI75S-120 , 2MBI75U4A-120 , 2MBI75VA-120-50 , 2MBI800U4G-120 , 2MBI800U4G-170 , 2MBI900VXA-120P-50 , NGTB75N65FL2 , 4MBI400VG-060R-50 , 6MBI100F-060 , 6MBI100U2B-060 , 6MBI100VA-060-50 , 6MBI100VA-120-50 , 6MBI100VB-120-50 , 6MBI100VW-060-50 , 6MBI100VW-120-50 .

 

 
Back to Top

 


 
.