Справочник IGBT. 4MBI300VG-120R-50

 

4MBI300VG-120R-50 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 4MBI300VG-120R-50
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 700 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 4MBI300VG-120R-50

 

 

4MBI300VG-120R-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:441K  fuji
 4mbi300vg-120r-50.pdf

4MBI300VG-120R-50 4MBI300VG-120R-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/4MBI300VG-120R-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 300A / IGBT, 600V/300A/RB-IGBT, 4 in one packageFeaturesHigher EfficiencyOptimized A (T-type) -3 level circuitLow inductance module structureFeaturing Reverse Blocking IGBT (RB-IGBT)ApplicationsInverter for Motor DriveUninterruptible Power SupplyPower conditione

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top