4MBI400VG-060R-50 Todos los transistores

 

4MBI400VG-060R-50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 4MBI400VG-060R-50
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1135 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.79 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.2 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 650 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

4MBI400VG-060R-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:429K  fuji
 4mbi400vg-060r-50.pdf pdf_icon

4MBI400VG-060R-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/4MBI400VG-060R-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)600V / 400A / IGBT, RB-IGBT 4 in one packageFeaturesHigher EfficiencyOptimized A (T-type) -3 level circuitLow inductance module structureFeaturing Reverse Blocking IGBT (RB-IGBT)ApplicationsInverter for Motor DriveUninterruptible Power SupplyPower conditionerMaximum R

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History: BSM200GB170DLC

 

 
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