Справочник IGBT. 4MBI400VG-060R-50

 

4MBI400VG-060R-50 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 4MBI400VG-060R-50
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1135 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.79 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 650 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

4MBI400VG-060R-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:429K  fuji
 4mbi400vg-060r-50.pdf pdf_icon

4MBI400VG-060R-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/4MBI400VG-060R-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)600V / 400A / IGBT, RB-IGBT 4 in one packageFeaturesHigher EfficiencyOptimized A (T-type) -3 level circuitLow inductance module structureFeaturing Reverse Blocking IGBT (RB-IGBT)ApplicationsInverter for Motor DriveUninterruptible Power SupplyPower conditionerMaximum R

Другие IGBT... 2MBI75P-140 , 2MBI75S-120 , 2MBI75U4A-120 , 2MBI75VA-120-50 , 2MBI800U4G-120 , 2MBI800U4G-170 , 2MBI900VXA-120P-50 , 4MBI300VG-120R-50 , IRGP4062D , 6MBI100F-060 , 6MBI100U2B-060 , 6MBI100VA-060-50 , 6MBI100VA-120-50 , 6MBI100VB-120-50 , 6MBI100VW-060-50 , 6MBI100VW-120-50 , 6MBI100VX-120-50 .

History: MMG100S120B6C | FGPF4565 | IGB15N65S5 | APT33GF120B2RD | HGTD3N60A4S | NGTB40N135IHR | SM2G100US60

 

 
Back to Top

 


 
.