Справочник IGBT. 4MBI400VG-060R-50

 

4MBI400VG-060R-50 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 4MBI400VG-060R-50
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1135 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.79 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 650 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 4MBI400VG-060R-50

 

 

4MBI400VG-060R-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:429K  fuji
 4mbi400vg-060r-50.pdf

4MBI400VG-060R-50 4MBI400VG-060R-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/4MBI400VG-060R-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)600V / 400A / IGBT, RB-IGBT 4 in one packageFeaturesHigher EfficiencyOptimized A (T-type) -3 level circuitLow inductance module structureFeaturing Reverse Blocking IGBT (RB-IGBT)ApplicationsInverter for Motor DriveUninterruptible Power SupplyPower conditionerMaximum R

Другие IGBT... 2MBI75P-140 , 2MBI75S-120 , 2MBI75U4A-120 , 2MBI75VA-120-50 , 2MBI800U4G-120 , 2MBI800U4G-170 , 2MBI900VXA-120P-50 , 4MBI300VG-120R-50 , IHW20N120R2 , 6MBI100F-060 , 6MBI100U2B-060 , 6MBI100VA-060-50 , 6MBI100VA-120-50 , 6MBI100VB-120-50 , 6MBI100VW-060-50 , 6MBI100VW-120-50 , 6MBI100VX-120-50 .

 

 
Back to Top