CM100TX-24S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM100TX-24S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2000 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM100TX-24S Datasheet (PDF)
Otros transistores... CM100RL-24NF , CM100RX-12A , CM100RX-24S , CM100RX-24S1 , CM100TL-12NF , CM100TL-24NF , CM100TU-12F , CM100TU-24F , IRGP4086 , CM100TX-24S1 , CM10MD-24H , CM1200DB-34N , CM1200DC-34N , CM1200E4C-34N , CM1200HA-34H , CM1200HA-50H , CM1200HA-66H .
History: MSG40T120FQC | BLG3040-P | APTGT75TDU120P | BLG60T65FDK-K | IRGS4640D
History: MSG40T120FQC | BLG3040-P | APTGT75TDU120P | BLG60T65FDK-K | IRGS4640D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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