Справочник IGBT. CM100TX-24S

 

CM100TX-24S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM100TX-24S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CM100TX-24S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM100TX-24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  1
 cm100tx-24s.pdf pdf_icon

CM100TX-24S

 0.1. Size:979K  1
 cm100tx-24s1.pdf pdf_icon

CM100TX-24S

 8.1. Size:192K  1
 cm100tl-24nf.pdf pdf_icon

CM100TX-24S

 8.2. Size:193K  1
 cm100tl-12nf.pdf pdf_icon

CM100TX-24S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM100RL-24NF , CM100RX-12A , CM100RX-24S , CM100RX-24S1 , CM100TL-12NF , CM100TL-24NF , CM100TU-12F , CM100TU-24F , RJH3047 , CM100TX-24S1 , CM10MD-24H , CM1200DB-34N , CM1200DC-34N , CM1200E4C-34N , CM1200HA-34H , CM1200HA-50H , CM1200HA-66H .

History: NGTB30N120IHRWG | BT15T60A9F | BLG40T65FUK-F | SGTP75V65FDB1P4B

 

 
Back to Top

 


 
.