CM1200HA-66H Todos los transistores

 

CM1200HA-66H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM1200HA-66H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 10400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3300 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2000 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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CM1200HA-66H Datasheet (PDF)

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CM1200HA-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HA-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HA-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

 5.1. Size:150K  1
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CM1200HA-66H

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CM1200HA-66H

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CM1200HA-66H

CM1200HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 1200 A VCES

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History: AFGY120T65SPD-B4 | IXGK60N60 | IRG4BC20U | FGH40T120SMD-F155 | MG12150D-BA1MM | SG12N06DT | APTGT150A170D1

 

 
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