CM1200HA-66H аналоги, datasheet, параметры транзистора

CM1200HA-66H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM1200HA-66H 📄📄

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 12000 pF

Тип корпуса: MODULE

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для CM1200HA-66H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

CM1200HA-66H даташит

..1. Size:44K 1
cm1200ha-66h.pdf pdf_icon

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM1200HA-66H HIGH POWER SWITCHING USE HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM1200HA-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC choppers, Ind

5.1. Size:150K 1
cm1200ha-50h.pdf pdf_icon