CM1400DU-24NF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM1400DU-24NF  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3900 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 25000 pF

Encapsulados: MODULE

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CM1400DU-24NF IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CM1400DU-24NF datasheet

 ..1. Size:107K  1
 cm1400du-24nf.pdf pdf_icon

CM1400DU-24NF

MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DU-24NF HIGH POWER SWITCHING USE CM1400DU-24NF IC ................................................................ 1400A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type 2-elements in a pack APPLICATION UPS & General purpose inverters, etc OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mm A,B HO

 6.1. Size:496K  1
 cm1400duc-24s.pdf pdf_icon

CM1400DU-24NF

 9.1. Size:123K  jdsemi
 cm140n04.pdf pdf_icon

CM1400DU-24NF

R CM140N04 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 40V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 US P 2 3

Otros transistores... CM1200HA-66H, CM1200HB-50H, CM1200HB-66H, CM1200HC-34H, CM1200HC-50H, CM1200HC-66H, CM1200HCB-34N, CM1200HG-66H, FGPF4633, CM1400DUC-24S, CM150DU-12F, CM150DU-12H, CM150DU-24F, CM150DU-24NFH, CM150DX-24A, CM150DX-24S, CM150DX-34SA