CM1400DU-24NF - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

CM1400DU-24NF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: CM1400DU-24NF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3900 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 7200 nC
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для CM1400DU-24NF

CM1400DU-24NF Datasheet (PDF)

..1. Size:107K 1
cm1400du-24nf.pdf

MITSUBISHI IGBT MODULESCM1400DU-24NFHIGH POWER SWITCHING USECM1400DU-24NF IC ................................................................ 1400A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONUPS & General purpose inverters, etcOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mmA,B HO

6.1. Size:496K 1
cm1400duc-24s.pdf