CM1400DU-24NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM1400DU-24NF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3900 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM1400DU-24NF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM1400DU-24NF даташит

 ..1. Size:107K  1
 cm1400du-24nf.pdf pdf_icon

CM1400DU-24NF

MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DU-24NF HIGH POWER SWITCHING USE CM1400DU-24NF IC ................................................................ 1400A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type 2-elements in a pack APPLICATION UPS & General purpose inverters, etc OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mm A,B HO

 6.1. Size:496K  1
 cm1400duc-24s.pdf pdf_icon

CM1400DU-24NF

 9.1. Size:123K  jdsemi
 cm140n04.pdf pdf_icon

CM1400DU-24NF

R CM140N04 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 40V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 US P 2 3

Другие IGBT... CM1200HA-66H, CM1200HB-50H, CM1200HB-66H, CM1200HC-34H, CM1200HC-50H, CM1200HC-66H, CM1200HCB-34N, CM1200HG-66H, FGPF4633, CM1400DUC-24S, CM150DU-12F, CM150DU-12H, CM150DU-24F, CM150DU-24NFH, CM150DX-24A, CM150DX-24S, CM150DX-34SA