CM1400DUC-24S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM1400DUC-24S  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 9375 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 30000 pF

Encapsulados: MODULE

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CM1400DUC-24S datasheet

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CM1400DUC-24S

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CM1400DUC-24S

MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DU-24NF HIGH POWER SWITCHING USE CM1400DU-24NF IC ................................................................ 1400A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type 2-elements in a pack APPLICATION UPS & General purpose inverters, etc OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mm A,B HO

 9.1. Size:123K  jdsemi
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CM1400DUC-24S

R CM140N04 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 40V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 US P 2 3

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