CM1400DUC-24S Todos los transistores

 

CM1400DUC-24S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM1400DUC-24S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 9375 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 30000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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CM1400DUC-24S Datasheet (PDF)

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CM1400DUC-24S

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CM1400DUC-24S

MITSUBISHI IGBT MODULESCM1400DU-24NFHIGH POWER SWITCHING USECM1400DU-24NF IC ................................................................ 1400A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONUPS & General purpose inverters, etcOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mmA,B HO

 9.1. Size:123K  jdsemi
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CM1400DUC-24S

RCM140N04 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 40V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3

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History: 1MBH25-120 | F3L80R12W1H3_B11 | AFGB40T65SQDN | MMG800K060U6EN | STGWT40V60DLF | VS-GP400TD60S | CM200RX-12A

 

 
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