Справочник IGBT. CM1400DUC-24S

 

CM1400DUC-24S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM1400DUC-24S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30000 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM1400DUC-24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  1
cm1400duc-24s.pdfpdf_icon

CM1400DUC-24S

 6.1. Size:107K  1
cm1400du-24nf.pdfpdf_icon

CM1400DUC-24S

MITSUBISHI IGBT MODULESCM1400DU-24NFHIGH POWER SWITCHING USECM1400DU-24NF IC ................................................................ 1400A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONUPS & General purpose inverters, etcOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mmA,B HO

 9.1. Size:123K  jdsemi
cm140n04.pdfpdf_icon

CM1400DUC-24S

RCM140N04 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 40V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APTGT75SK120D1 | APTGT600U170D4

 

 
Back to Top

 


 
.