CM1400DUC-24S - Аналоги. Основные параметры
Наименование: CM1400DUC-24S
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM1400DUC-24S
Технические параметры CM1400DUC-24S
cm1400du-24nf.pdf
MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DU-24NF HIGH POWER SWITCHING USE CM1400DU-24NF IC ................................................................ 1400A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type 2-elements in a pack APPLICATION UPS & General purpose inverters, etc OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mm A,B HO
cm140n04.pdf
R CM140N04 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 40V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 US P 2 3
Другие IGBT... CM1200HB-50H , CM1200HB-66H , CM1200HC-34H , CM1200HC-50H , CM1200HC-66H , CM1200HCB-34N , CM1200HG-66H , CM1400DU-24NF , YGW40N65F1 , CM150DU-12F , CM150DU-12H , CM150DU-24F , CM150DU-24NFH , CM150DX-24A , CM150DX-24S , CM150DX-34SA , CM150DY-12H .
History: BSM300GA120DN2S
History: BSM300GA120DN2S
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet