Справочник IGBT. CM1400DUC-24S

 

CM1400DUC-24S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM1400DUC-24S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 9375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30000 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CM1400DUC-24S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM1400DUC-24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:496K  1
cm1400duc-24s.pdfpdf_icon

CM1400DUC-24S

 6.1. Size:107K  1
cm1400du-24nf.pdfpdf_icon

CM1400DUC-24S

MITSUBISHI IGBT MODULESCM1400DU-24NFHIGH POWER SWITCHING USECM1400DU-24NF IC ................................................................ 1400A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONUPS & General purpose inverters, etcOUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM Dimensions in mmA,B HO

 9.1. Size:123K  jdsemi
cm140n04.pdfpdf_icon

CM1400DUC-24S

RCM140N04 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 40V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3

Другие IGBT... CM1200HB-50H , CM1200HB-66H , CM1200HC-34H , CM1200HC-50H , CM1200HC-66H , CM1200HCB-34N , CM1200HG-66H , CM1400DU-24NF , GT30F133 , CM150DU-12F , CM150DU-12H , CM150DU-24F , CM150DU-24NFH , CM150DX-24A , CM150DX-24S , CM150DX-34SA , CM150DY-12H .

 

 
Back to Top

 


 
.