CM2400HCB-34N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM2400HCB-34N  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 15600 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 21600 pF

Encapsulados: MODULE

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CM2400HCB-34N datasheet

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CM2400HCB-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM2400HC-34H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM2400HC-34H IC ................................................................ 2400A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

Otros transistores... CM200RXL-24S, CM200TL-12NF, CM200TL-24NF, CM200TU-12F, CM20MD-12H, CM225DX-24S1, CM2400HC-34H, CM2400HC-34N, FGH60N60SMD, CM2500DY-24S, CM25MD-24H, CM300DU-12F, CM300DU-12NFH, CM300DU-24F, CM300DU-24NFH, CM300DX-12A, CM300DX-24S