CM2400HCB-34N Todos los transistores

 

CM2400HCB-34N - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM2400HCB-34N
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 15600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 21600 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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CM2400HCB-34N Datasheet (PDF)

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CM2400HCB-34N

CM2400HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 2400 A VCES

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CM2400HCB-34N

CM2400HC-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HC-34N I 2400 A C V 1700 V CES

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CM2400HCB-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM2400HC-34HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM2400HC-34H IC ................................................................ 2400A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

Otros transistores... CM200RXL-24S , CM200TL-12NF , CM200TL-24NF , CM200TU-12F , CM20MD-12H , CM225DX-24S1 , CM2400HC-34H , CM2400HC-34N , MBQ60T65PES , CM2500DY-24S , CM25MD-24H , CM300DU-12F , CM300DU-12NFH , CM300DU-24F , CM300DU-24NFH , CM300DX-12A , CM300DX-24S .

History: SGTP50V60SD2PF | MMG600KR120U | LEGM200BA120L2H | APT36GA60S

 

 
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