CM2400HCB-34N - аналоги и описание IGBT

 

CM2400HCB-34N - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: CM2400HCB-34N
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 21600 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CM2400HCB-34N

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры CM2400HCB-34N

 ..1. Size:323K  1
 cm2400hcb-34n.pdf pdf_icon

CM2400HCB-34N

 6.1. Size:681K  1
 cm2400hc-34n.pdf pdf_icon

CM2400HCB-34N

 6.2. Size:181K  1
 cm2400hc-34h.pdf pdf_icon

CM2400HCB-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM2400HC-34H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM2400HC-34H IC ................................................................ 2400A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

Другие IGBT... CM200RXL-24S , CM200TL-12NF , CM200TL-24NF , CM200TU-12F , CM20MD-12H , CM225DX-24S1 , CM2400HC-34H , CM2400HC-34N , FGH60N60SMD , CM2500DY-24S , CM25MD-24H , CM300DU-12F , CM300DU-12NFH , CM300DU-24F , CM300DU-24NFH , CM300DX-12A , CM300DX-24S .

 

 
Back to Top

 


 
.