CM2400HCB-34N - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM2400HCB-34N
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15600 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 21600 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 27400 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM2400HCB-34N
CM2400HCB-34N Datasheet (PDF)
cm2400hcb-34n.pdf
CM2400HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 2400 A VCES
cm2400hc-34n.pdf
CM2400HC-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HC-34N I 2400 A C V 1700 V CES
cm2400hc-34h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM2400HC-34HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM2400HC-34H IC ................................................................ 2400A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2