CM25MD-24H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM25MD-24H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 104 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3800 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM25MD-24H Datasheet (PDF)
cm25md-24h.pdf

MITSUBISHI IGBT MODULESCM25MD-24HMEDIUM POWER SWITCHING USEINSULATED TYPECM25MD-24HIC ..................................................................... 25AVCES ......................................................... 1200VInsulated TypeCIB Module3 Inverter+3 Converter+BrakeUL RecognizedYellow Card No. E80276 (N)File No. E80271APPLICATIONAC & DC mot
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History: IXGH40N120A2 | DF160R12W2H3_B11 | DM2G100SH6N | 2MBI150L-120 | MMG300D170B | 2MBI150L-060
History: IXGH40N120A2 | DF160R12W2H3_B11 | DM2G100SH6N | 2MBI150L-120 | MMG300D170B | 2MBI150L-060



Liste
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