CM25MD-24H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM25MD-24H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3800 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM25MD-24H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM25MD-24H даташит

 ..1. Size:159K  1
 cm25md-24h.pdf pdf_icon

CM25MD-24H

MITSUBISHI IGBT MODULES CM25MD-24H MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE CM25MD-24H IC ..................................................................... 25A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type CIB Module 3 Inverter+3 Converter+Brake UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) File No. E80271 APPLICATION AC & DC mot

Другие IGBT... CM200TL-24NF, CM200TU-12F, CM20MD-12H, CM225DX-24S1, CM2400HC-34H, CM2400HC-34N, CM2400HCB-34N, CM2500DY-24S, FGH40N60SFD, CM300DU-12F, CM300DU-12NFH, CM300DU-24F, CM300DU-24NFH, CM300DX-12A, CM300DX-24S, CM300DX-24S1, CM300DX-34SA