Справочник IGBT. CM25MD-24H

 

CM25MD-24H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM25MD-24H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3800 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 125 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM25MD-24H

 

 

CM25MD-24H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  1
 cm25md-24h.pdf

CM25MD-24H CM25MD-24H

MITSUBISHI IGBT MODULESCM25MD-24HMEDIUM POWER SWITCHING USEINSULATED TYPECM25MD-24HIC ..................................................................... 25AVCES ......................................................... 1200VInsulated TypeCIB Module3 Inverter+3 Converter+BrakeUL RecognizedYellow Card No. E80276 (N)File No. E80271APPLICATIONAC & DC mot

Другие IGBT... CM200TL-24NF , CM200TU-12F , CM20MD-12H , CM225DX-24S1 , CM2400HC-34H , CM2400HC-34N , CM2400HCB-34N , CM2500DY-24S , MBQ60T65PES , CM300DU-12F , CM300DU-12NFH , CM300DU-24F , CM300DU-24NFH , CM300DX-12A , CM300DX-24S , CM300DX-24S1 , CM300DX-34SA .

 

 
Back to Top