CM30MD-12H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM30MD-12H  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 66 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2400 pF

Encapsulados: MODULE

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CM30MD-12H datasheet

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CM30MD-12H

MITSUBISHI IGBT MODULES CM30MD-12H MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE CM30MD-12H IC ..................................................................... 30A VCES ............................................................600V Insulated Type CIB Module 3 Inverter+3 Converter+Brake UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) File No. E80271 APPLICATION AC & DC mo

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