Справочник IGBT. CM30MD-12H

 

CM30MD-12H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM30MD-12H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2400 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 90 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM30MD-12H

 

 

CM30MD-12H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  1
 cm30md-12h.pdf

CM30MD-12H CM30MD-12H

MITSUBISHI IGBT MODULESCM30MD-12HMEDIUM POWER SWITCHING USEINSULATED TYPECM30MD-12HIC ..................................................................... 30AVCES ............................................................600VInsulated TypeCIB Module3 Inverter+3 Converter+BrakeUL RecognizedYellow Card No. E80276 (N)File No. E80271APPLICATIONAC & DC mo

Другие IGBT... CM300DY-12E , CM300DY-12H , CM300DY-12NF , CM300DY-24A , CM300DY-24H , CM300DY-24NF , CM300DY-24S , CM300EXS-24S , CRG60T60AN3H , CM35MXA-24S , CM400C1Y-24S , CM400DU-12NFH , CM400DU-24NFH , CM400DU-5F , CM400DX-12A , CM400DY-12H , CM400DY-12NF .

 

 
Back to Top