CM30MD-12H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM30MD-12H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2400 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM30MD-12H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM30MD-12H даташит

 ..1. Size:145K  1
 cm30md-12h.pdf pdf_icon

CM30MD-12H

MITSUBISHI IGBT MODULES CM30MD-12H MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE CM30MD-12H IC ..................................................................... 30A VCES ............................................................600V Insulated Type CIB Module 3 Inverter+3 Converter+Brake UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) File No. E80271 APPLICATION AC & DC mo

Другие IGBT... CM300DY-12E, CM300DY-12H, CM300DY-12NF, CM300DY-24A, CM300DY-24H, CM300DY-24NF, CM300DY-24S, CM300EXS-24S, RJP30H1DPD, CM35MXA-24S, CM400C1Y-24S, CM400DU-12NFH, CM400DU-24NFH, CM400DU-5F, CM400DX-12A, CM400DY-12H, CM400DY-12NF