CM600DX-24S1 Todos los transistores

 

CM600DX-24S1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM600DX-24S1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3330 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 10000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM600DX-24S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:814K  1
cm600dx-24s1.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 7.1. Size:706K  1
cm600dxl-24s.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 7.2. Size:640K  1
cm600dxl-34sa.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 8.1. Size:166K  1
cm600dy-34h.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

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History: VS-GT100LA120UX | SG12N06DT | CM400DY-24A | AFGY120T65SPD-B4 | SGTP50V60SD2PF | VS-40MT120UHTAPBF | 1MBI75U4F-120L-50

 

 
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