Справочник IGBT. CM600DX-24S1

 

CM600DX-24S1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM600DX-24S1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3330 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 10000 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CM600DX-24S1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM600DX-24S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:814K  1
 cm600dx-24s1.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 7.1. Size:706K  1
 cm600dxl-24s.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 7.2. Size:640K  1
 cm600dxl-34sa.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 8.1. Size:166K  1
 cm600dy-34h.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM50TF-12H , CM50TF-24H , CM50TL-24NF , CM50TU-24F , CM50YE13-12H , CM600DU-24F , CM600DU-24NFH , CM600DU-5F , TGPF30N43P , CM600DXL-24S , CM600DXL-34SA , CM600DY-12NF , CM600DY-24A , CM600DY-24S , CM600DY-34H , CM600E2Y-34H , CM600HA-5F .

 

 
Back to Top

 


 
.