CM600DX-24S1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM600DX-24S1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3330 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 10000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM600DX-24S1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM600DX-24S1 даташит

 ..1. Size:814K  1
 cm600dx-24s1.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 7.1. Size:706K  1
 cm600dxl-24s.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 7.2. Size:640K  1
 cm600dxl-34sa.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 8.1. Size:166K  1
 cm600dy-34h.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM600DY-34H HIGH POWER SWITCHING USE HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC choppers, Ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM50TF-12H, CM50TF-24H, CM50TL-24NF, CM50TU-24F, CM50YE13-12H, CM600DU-24F, CM600DU-24NFH, CM600DU-5F, YGP20N65T2, CM600DXL-24S, CM600DXL-34SA, CM600DY-12NF, CM600DY-24A, CM600DY-24S, CM600DY-34H, CM600E2Y-34H, CM600HA-5F