Справочник IGBT. CM600DX-24S1

 

CM600DX-24S1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM600DX-24S1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3330 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 10000 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM600DX-24S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:814K  1
 cm600dx-24s1.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 7.1. Size:706K  1
 cm600dxl-24s.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 7.2. Size:640K  1
 cm600dxl-34sa.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

 8.1. Size:166K  1
 cm600dy-34h.pdf pdf_icon

CM600DX-24S1

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IXGF36N300 | IXGA48N60C3 | IXBX28N300HV | DIM800DDS12-A | MMG400D060B6TC | IXXH50N60C3 | BSM300GB120DLC

 

 
Back to Top

 


 
.