CM600DY-24S Todos los transistores

 

CM600DY-24S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM600DY-24S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4050 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM600DY-24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  1
cm600dy-24s.pdf pdf_icon

CM600DY-24S

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CM600DY-24S

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CM600DY-24S

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

 6.2. Size:184K  1
cm600dy-12nf.pdf pdf_icon

CM600DY-24S

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History: TT060U065FB | DM2G150SH12AE | APT15GT60KR | SPM1003

 

 
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