CM600DY-24S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM600DY-24S  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4050 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 12000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM600DY-24S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM600DY-24S даташит

 ..1. Size:495K  1
 cm600dy-24s.pdf pdf_icon

CM600DY-24S

 4.1. Size:190K  1
 cm600dy-24a.pdf pdf_icon

CM600DY-24S

 6.1. Size:166K  1
 cm600dy-34h.pdf pdf_icon

CM600DY-24S

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM600DY-34H HIGH POWER SWITCHING USE HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC choppers, Ind

 6.2. Size:184K  1
 cm600dy-12nf.pdf pdf_icon

CM600DY-24S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM600DU-24F, CM600DU-24NFH, CM600DU-5F, CM600DX-24S1, CM600DXL-24S, CM600DXL-34SA, CM600DY-12NF, CM600DY-24A, IKW30N60H3, CM600DY-34H, CM600E2Y-34H, CM600HA-5F, CM600HB-90H, CM600HG-130H, CM600HG-90H, CM600HN-5F, CM600HU-12F