2PG352 Todos los transistores

 

2PG352 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2PG352
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 15 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 16 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF
   Paquete / Cubierta: IPAK

 Búsqueda de reemplazo de 2PG352 - IGBT

 

2PG352 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:16K  panasonic
2pg352.pdf

2PG352

IGBTs 2PG3522PG352Insulated Gate Bipolar TransistorUnit : mm Features7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage : VCES= 400V3.0 0.2 Large current control possible : IC(peak)=150A Housing in the surface mounting package possible Applications1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.12.3 0.24.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C)1 2

 9.1. Size:25K  panasonic
2pg351.pdf

2PG352
2PG352

IGBTs 2PG3512PG351Insulated Gate Bipolar TransistorUnit : mm Features7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage : VCES= 400V3.0 0.2 Large current control possible : IC(peak)=130A Housing in the surface mounting package possible Applications1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.12.3 0.24.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C)1 2

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