2PG352 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2PG352  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 15 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 16 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF

Encapsulados: IPAK

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2PG352 datasheet

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2PG352

IGBTs 2PG352 2PG352 Insulated Gate Bipolar Transistor Unit mm Features 7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage VCES= 400V 3.0 0.2 Large current control possible IC(peak)=150A Housing in the surface mounting package possible Applications 1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.1 2.3 0.2 4.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) 1 2

 9.1. Size:25K  panasonic
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2PG352

IGBTs 2PG351 2PG351 Insulated Gate Bipolar Transistor Unit mm Features 7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage VCES= 400V 3.0 0.2 Large current control possible IC(peak)=130A Housing in the surface mounting package possible Applications 1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.1 2.3 0.2 4.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) 1 2

Otros transistores... HCKW60N65BH2A, HCKW60N65CH2A, HCKW75N65BH2, HCKW75N65FH2, 2N6975, 2N6976, 2N6977, 2N6978, IKW50N60H3, 2PG401, 2PG402, 2SH11, 2SH12, 2SH13, 2SH14, 2SH15, 2SH16