Справочник IGBT. 2PG352

 

2PG352 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2PG352
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 16 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для 2PG352

 

 

2PG352 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:16K  panasonic
 2pg352.pdf

2PG352

IGBTs 2PG3522PG352Insulated Gate Bipolar TransistorUnit : mm Features7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage : VCES= 400V3.0 0.2 Large current control possible : IC(peak)=150A Housing in the surface mounting package possible Applications1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.12.3 0.24.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C)1 2

 9.1. Size:25K  panasonic
 2pg351.pdf

2PG352 2PG352

IGBTs 2PG3512PG351Insulated Gate Bipolar TransistorUnit : mm Features7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage : VCES= 400V3.0 0.2 Large current control possible : IC(peak)=130A Housing in the surface mounting package possible Applications1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.12.3 0.24.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C)1 2

Другие IGBT... HCKW60N65BH2A , HCKW60N65CH2A , HCKW75N65BH2 , HCKW75N65FH2 , 2N6975 , 2N6976 , 2N6977 , 2N6978 , IKW50N60H3 , 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 .

 

 
Back to Top