2PG352 - аналоги и описание IGBT

 

2PG352 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2PG352

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 16 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF

Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для 2PG352

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2PG352 даташит

 ..1. Size:16K  panasonic
 2pg352.pdf pdf_icon

2PG352

IGBTs 2PG352 2PG352 Insulated Gate Bipolar Transistor Unit mm Features 7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage VCES= 400V 3.0 0.2 Large current control possible IC(peak)=150A Housing in the surface mounting package possible Applications 1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.1 2.3 0.2 4.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) 1 2

 9.1. Size:25K  panasonic
 2pg351.pdf pdf_icon

2PG352

IGBTs 2PG351 2PG351 Insulated Gate Bipolar Transistor Unit mm Features 7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage VCES= 400V 3.0 0.2 Large current control possible IC(peak)=130A Housing in the surface mounting package possible Applications 1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.1 2.3 0.2 4.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) 1 2

Другие IGBT... HCKW60N65BH2A , HCKW60N65CH2A , HCKW75N65BH2 , HCKW75N65FH2 , 2N6975 , 2N6976 , 2N6977 , 2N6978 , IKW50N60H3 , 2PG401 , 2PG402 , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.