CM900DUC-24S IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM900DUC-24S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 6520 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 250 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 18000 pF
Encapsulados: MODULE
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CM900DUC-24S datasheet
cm900hg-90h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM900HG-90H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM900HG-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V High Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate AP
cm900hb-90h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM900HB-90H HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM900HB-90H IC...................................................................900A VCES ....................................................... 4500V Insulated Type 1-element in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC ch
cm900hc-90h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM900HC-90H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM900HC-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate APPLICA
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