CM900DUC-24S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM900DUC-24S  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6520 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM900DUC-24S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM900DUC-24S даташит

 ..1. Size:516K  1
 cm900duc-24s.pdf pdf_icon

CM900DUC-24S

 9.1. Size:203K  1
 cm900hg-90h.pdf pdf_icon

CM900DUC-24S

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM900HG-90H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM900HG-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V High Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate AP

 9.2. Size:64K  1
 cm900hb-90h.pdf pdf_icon

CM900DUC-24S

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM900HB-90H HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM900HB-90H IC...................................................................900A VCES ....................................................... 4500V Insulated Type 1-element in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC ch

 9.3. Size:86K  1
 cm900hc-90h.pdf pdf_icon

CM900DUC-24S

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM900HC-90H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM900HC-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate APPLICA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM800E2C-66H, CM800E2Z-66H, CM800E6C-66H, CM800HA-50H, CM800HA-66H, CM800HB-50H, CM800HB-66H, CM800HC-66H, RJP63K2DPP-M0, CM900HB-90H, CM900HC-90H, CM900HG-90H, CMH1200DC-34S, DF1000R17IE4, DF1000R17IE4D_B2, DF120R12W2H3_B27, DF1400R12IP4D