Справочник IGBT. CM900DUC-24S

 

CM900DUC-24S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM900DUC-24S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6520 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 900 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18000 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2300 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CM900DUC-24S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM900DUC-24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:516K  1
 cm900duc-24s.pdf pdf_icon

CM900DUC-24S

 9.1. Size:203K  1
 cm900hg-90h.pdf pdf_icon

CM900DUC-24S

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HG-90HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HG-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V High Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAP

 9.2. Size:64K  1
 cm900hb-90h.pdf pdf_icon

CM900DUC-24S

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HB-90HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HB-90H IC...................................................................900A VCES ....................................................... 4500V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch

 9.3. Size:86K  1
 cm900hc-90h.pdf pdf_icon

CM900DUC-24S

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HC-90HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HC-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM800E2C-66H , CM800E2Z-66H , CM800E6C-66H , CM800HA-50H , CM800HA-66H , CM800HB-50H , CM800HB-66H , CM800HC-66H , RJP63K2DPP-M0 , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , DF1400R12IP4D .

 

 
Back to Top

 


 
.