CMH1200DC-34S Todos los transistores

 

CMH1200DC-34S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMH1200DC-34S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 6750 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 140 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 8000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CMH1200DC-34S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  1
cmh1200dc-34s.pdf pdf_icon

CMH1200DC-34S

CMH1200DC-34S HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE SiC Hybrid HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Module CMH1200DC-34S I 1200AC V 1700VCES

 8.1. Size:564K  dacosemi
dacmh120n1200.pdf pdf_icon

CMH1200DC-34S

DACMH120N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

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History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1

 

 
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