CMH1200DC-34S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CMH1200DC-34S  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6750 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 8000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CMH1200DC-34S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CMH1200DC-34S даташит

 ..1. Size:571K  1
 cmh1200dc-34s.pdf pdf_icon

CMH1200DC-34S

 8.1. Size:564K  dacosemi
 dacmh120n1200.pdf pdf_icon

CMH1200DC-34S

DACMH120N1200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 1200V RDS(ON)

Другие IGBT... CM800HA-66H, CM800HB-50H, CM800HB-66H, CM800HC-66H, CM900DUC-24S, CM900HB-90H, CM900HC-90H, CM900HG-90H, CRG60T60AN3H, DF1000R17IE4, DF1000R17IE4D_B2, DF120R12W2H3_B27, DF1400R12IP4D, DF150R12RT4, DF160R12W2H3_B11, DF160R12W2H3F_B11, DF200R12KE3