CMH1200DC-34S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CMH1200DC-34S
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6750 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 8000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CMH1200DC-34S Datasheet (PDF)
cmh1200dc-34s.pdf

CMH1200DC-34S HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE SiC Hybrid HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Module CMH1200DC-34S I 1200AC V 1700VCES
dacmh120n1200.pdf

DACMH120N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)
Другие IGBT... CM800HA-66H , CM800HB-50H , CM800HB-66H , CM800HC-66H , CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , GT50JR22 , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , DF1400R12IP4D , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 .
History: BT60T60ANFK | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IKW50N65WR5 | MMG15CB120XB6TC
History: BT60T60ANFK | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | IKW50N65WR5 | MMG15CB120XB6TC



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor