Справочник IGBT. CMH1200DC-34S

 

CMH1200DC-34S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CMH1200DC-34S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 140 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 8000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 12000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CMH1200DC-34S

 

 

CMH1200DC-34S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  1
 cmh1200dc-34s.pdf

CMH1200DC-34S CMH1200DC-34S

CMH1200DC-34S HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE SiC Hybrid HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Module CMH1200DC-34S I 1200AC V 1700VCES

 8.1. Size:564K  dacosemi
 dacmh120n1200.pdf

CMH1200DC-34S CMH1200DC-34S

DACMH120N1200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top