DF120R12W2H3_B27 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF120R12W2H3_B27  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Encapsulados: MODULE

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DF120R12W2H3_B27 datasheet

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DF120R12W2H3_B27

/ Technical Information IGBT- DF120R12W2H3_B27 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 40A / I = 80A C nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses Mechanical Featur

 9.1. Size:153K  solitron
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DF120R12W2H3_B27

 9.2. Size:164K  solitron
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DF120R12W2H3_B27

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