DF120R12W2H3_B27 Todos los transistores

 

DF120R12W2H3_B27 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF120R12W2H3_B27
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DF120R12W2H3_B27 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1171K  infineon
 df120r12w2h3 b27.pdf pdf_icon

DF120R12W2H3_B27

/ Technical InformationIGBT-DF120R12W2H3_B27IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 40A / I = 80AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses Mechanical Featur

 9.1. Size:153K  solitron
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DF120R12W2H3_B27

 9.2. Size:164K  solitron
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DF120R12W2H3_B27

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