DF120R12W2H3_B27 Todos los transistores

 

DF120R12W2H3_B27 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF120R12W2H3_B27
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 185 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

DF120R12W2H3_B27 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1171K  infineon
 df120r12w2h3 b27.pdf pdf_icon

DF120R12W2H3_B27

/ Technical InformationIGBT-DF120R12W2H3_B27IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 40A / I = 80AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses Mechanical Featur

 9.1. Size:153K  solitron
 sdf120.pdf pdf_icon

DF120R12W2H3_B27

 9.2. Size:164K  solitron
 sdf120na20.pdf pdf_icon

DF120R12W2H3_B27

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MGB15N40CL | BRG10N120D | IRG4PC40FDPBF | ART10U120 | AOTF5B65M1

 

 
Back to Top

 


 
.