DF120R12W2H3_B27 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF120R12W2H3_B27
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 180 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DF120R12W2H3_B27 - IGBT
DF120R12W2H3_B27 Datasheet (PDF)
df120r12w2h3 b27.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF120R12W2H3_B27IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 40A / I = 80AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses Mechanical Featur
Otros transistores... CM800HC-66H , CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , MBQ60T65PES , DF1400R12IP4D , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2