Справочник IGBT. DF120R12W2H3_B27

 

DF120R12W2H3_B27 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF120R12W2H3_B27
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DF120R12W2H3_B27

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF120R12W2H3_B27 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1171K  infineon
 df120r12w2h3 b27.pdf pdf_icon

DF120R12W2H3_B27

/ Technical InformationIGBT-DF120R12W2H3_B27IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 40A / I = 80AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses Mechanical Featur

 9.1. Size:153K  solitron
 sdf120.pdf pdf_icon

DF120R12W2H3_B27

 9.2. Size:164K  solitron
 sdf120na20.pdf pdf_icon

DF120R12W2H3_B27

Другие IGBT... CM800HC-66H , CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , FGPF4536 , DF1400R12IP4D , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 .

History: 6MBP150VEA120-50

 

 
Back to Top

 


 
.