DF120R12W2H3_B27 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DF120R12W2H3_B27  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DF120R12W2H3_B27

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF120R12W2H3_B27 даташит

 0.1. Size:1171K  infineon
 df120r12w2h3 b27.pdf pdf_icon

DF120R12W2H3_B27

/ Technical Information IGBT- DF120R12W2H3_B27 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 40A / I = 80A C nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses Mechanical Featur

 9.1. Size:153K  solitron
 sdf120.pdf pdf_icon

DF120R12W2H3_B27

 9.2. Size:164K  solitron
 sdf120na20.pdf pdf_icon

DF120R12W2H3_B27

Другие IGBT... CM800HC-66H, CM900DUC-24S, CM900HB-90H, CM900HC-90H, CM900HG-90H, CMH1200DC-34S, DF1000R17IE4, DF1000R17IE4D_B2, FGH40N60SFD, DF1400R12IP4D, DF150R12RT4, DF160R12W2H3_B11, DF160R12W2H3F_B11, DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6