Справочник IGBT. DF120R12W2H3_B27

 

DF120R12W2H3_B27 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF120R12W2H3_B27
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 185 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DF120R12W2H3_B27

 

 

DF120R12W2H3_B27 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1171K  infineon
 df120r12w2h3 b27.pdf

DF120R12W2H3_B27 DF120R12W2H3_B27

/ Technical InformationIGBT-DF120R12W2H3_B27IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 40A / I = 80AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses Mechanical Featur

 9.1. Size:153K  solitron
 sdf120.pdf

DF120R12W2H3_B27

 9.2. Size:164K  solitron
 sdf120na20.pdf

DF120R12W2H3_B27

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top