DF1400R12IP4D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF1400R12IP4D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7700 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
DF1400R12IP4D Datasheet (PDF)
df1400r12ip4d.pdf

/ Technical InformationIGBT-DF1400R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK3 /IGBT4PrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRM Typical Applications
Otros transistores... CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , FGPF4536 , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 .
History: IXGP10N60 | NGTB50N60SWG | FB20R06W1E3_B11 | SKM400GA124D | MG06200S-BN4MM | 6MBP25VBA120-50 | AUIRG4BC30S-S
History: IXGP10N60 | NGTB50N60SWG | FB20R06W1E3_B11 | SKM400GA124D | MG06200S-BN4MM | 6MBP25VBA120-50 | AUIRG4BC30S-S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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