DF1400R12IP4D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF1400R12IP4D 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7700 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1400 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Encapsulados: MODULE
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de DF1400R12IP4D IGBT
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
DF1400R12IP4D datasheet
Otros transistores... CM900DUC-24S, CM900HB-90H, CM900HC-90H, CM900HG-90H, CMH1200DC-34S, DF1000R17IE4, DF1000R17IE4D_B2, DF120R12W2H3_B27, IXGH60N60, DF150R12RT4, DF160R12W2H3_B11, DF160R12W2H3F_B11, DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6, DF300R12KE3
History: IRGP4086 | DF650R17IE4 | DIM2400ESS12-A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118


