DF1400R12IP4D Todos los transistores

 

DF1400R12IP4D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF1400R12IP4D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 7700 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

DF1400R12IP4D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  infineon
df1400r12ip4d.pdf pdf_icon

DF1400R12IP4D

/ Technical InformationIGBT-DF1400R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK3 /IGBT4PrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRM Typical Applications

 9.1. Size:70K  solitron
sdf140.pdf pdf_icon

DF1400R12IP4D

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History: IXGP10N60 | NGTB50N60SWG | FB20R06W1E3_B11 | SKM400GA124D | MG06200S-BN4MM | 6MBP25VBA120-50 | AUIRG4BC30S-S

 

 
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