DF1400R12IP4D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: DF1400R12IP4D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам