Справочник IGBT. DF1400R12IP4D

 

DF1400R12IP4D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF1400R12IP4D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DF1400R12IP4D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF1400R12IP4D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  infineon
 df1400r12ip4d.pdf pdf_icon

DF1400R12IP4D

/ Technical InformationIGBT-DF1400R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK3 /IGBT4PrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1400A / I = 2800AC nom CRM Typical Applications

 9.1. Size:70K  solitron
 sdf140.pdf pdf_icon

DF1400R12IP4D

Другие IGBT... CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , RJP30H2A , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 .

 

 
Back to Top

 


 
.