DF1400R12IP4D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DF1400R12IP4D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7700 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1400 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DF1400R12IP4D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF1400R12IP4D даташит

 ..1. Size:902K  infineon
 df1400r12ip4d.pdf pdf_icon

DF1400R12IP4D

 9.1. Size:70K  solitron
 sdf140.pdf pdf_icon

DF1400R12IP4D

Другие IGBT... CM900DUC-24S, CM900HB-90H, CM900HC-90H, CM900HG-90H, CMH1200DC-34S, DF1000R17IE4, DF1000R17IE4D_B2, DF120R12W2H3_B27, IXGH60N60, DF150R12RT4, DF160R12W2H3_B11, DF160R12W2H3F_B11, DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6, DF300R12KE3