DF1400R12IP4D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: DF1400R12IP4D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 7700
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 1400
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Время нарастания типовое (tr), nS: 120
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 9600
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DF1400R12IP4D

 

 

DF1400R12IP4D Datasheet (PDF)

Другие IGBT... CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , RJP30H2A , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 .