DF150R12RT4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF150R12RT4  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 790 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Encapsulados: MODULE

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DF150R12RT4 datasheet

 ..1. Size:643K  infineon
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DF150R12RT4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF150R12RT4 IGBT-modules 34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 34mm module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfreque

 9.1. Size:154K  solitron
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DF150R12RT4

 9.2. Size:155K  solitron
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DF150R12RT4

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