DF150R12RT4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DF150R12RT4
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 790
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
Время нарастания типовое (tr), nS: 20
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 900
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DF150R12RT4
DF150R12RT4 Datasheet (PDF)
df150r12rt4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF150R12RT4IGBT-modules34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode34mm module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfreque
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ