Справочник IGBT. DF150R12RT4

 

DF150R12RT4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF150R12RT4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 790 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 900 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DF150R12RT4

 

 

DF150R12RT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  infineon
 df150r12rt4.pdf

DF150R12RT4 DF150R12RT4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF150R12RT4IGBT-modules34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode34mm module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfreque

 9.1. Size:154K  solitron
 sdf150na40.pdf

DF150R12RT4

 9.2. Size:155K  solitron
 sdf150.pdf

DF150R12RT4

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top