DF150R12RT4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DF150R12RT4  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 790 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DF150R12RT4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF150R12RT4 даташит

 ..1. Size:643K  infineon
 df150r12rt4.pdf pdf_icon

DF150R12RT4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF150R12RT4 IGBT-modules 34mm Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 34mm module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfreque

 9.1. Size:154K  solitron
 sdf150na40.pdf pdf_icon

DF150R12RT4

 9.2. Size:155K  solitron
 sdf150.pdf pdf_icon

DF150R12RT4

Другие IGBT... CM900HB-90H, CM900HC-90H, CM900HG-90H, CMH1200DC-34S, DF1000R17IE4, DF1000R17IE4D_B2, DF120R12W2H3_B27, DF1400R12IP4D, FGD4536, DF160R12W2H3_B11, DF160R12W2H3F_B11, DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6, DF300R12KE3, DF400R12KE3