DF160R12W2H3_B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF160R12W2H3_B11
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 320 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
DF160R12W2H3_B11 Datasheet (PDF)
df160r12w2h3 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF160R12W2H3_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 160A / I = 320AC nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGB
df160r12w2h3f b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF160R12W2H3F_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 160A / I = 320AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses thinQ
Otros transistores... CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , DF1400R12IP4D , DF150R12RT4 , SGT40N60NPFDPN , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF600R12IP4D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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