DF160R12W2H3_B11 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DF160R12W2H3_B11  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DF160R12W2H3_B11

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF160R12W2H3_B11 даташит

 0.1. Size:991K  infineon
 df160r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

DF160R12W2H3_B11

/ Technical Information IGBT- DF160R12W2H3_B11 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 160A / I = 320A C nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGB

 2.1. Size:987K  infineon
 df160r12w2h3f b11.pdf pdf_icon

DF160R12W2H3_B11

Другие IGBT... CM900HC-90H, CM900HG-90H, CMH1200DC-34S, DF1000R17IE4, DF1000R17IE4D_B2, DF120R12W2H3_B27, DF1400R12IP4D, DF150R12RT4, GT50JR22, DF160R12W2H3F_B11, DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6, DF300R12KE3, DF400R12KE3, DF600R12IP4D