Справочник IGBT. DF160R12W2H3_B11

 

DF160R12W2H3_B11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF160R12W2H3_B11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DF160R12W2H3_B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:991K  infineon
 df160r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

DF160R12W2H3_B11

/ Technical InformationIGBT-DF160R12W2H3_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 160A / I = 320AC nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGB

 2.1. Size:987K  infineon
 df160r12w2h3f b11.pdf pdf_icon

DF160R12W2H3_B11

/ Technical InformationIGBT-DF160R12W2H3F_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 160A / I = 320AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses thinQ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: 7MBR75VB120-50 | SKM150GB174D | FD800R33KF2C-K | IGW75N60H3 | CM400DY-24NF | IKB40N65ES5 | VS-GB100TP120N

 

 
Back to Top

 


 
.