Справочник IGBT. DF160R12W2H3_B11

 

DF160R12W2H3_B11 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF160R12W2H3_B11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DF160R12W2H3_B11

 

 

DF160R12W2H3_B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:991K  infineon
 df160r12w2h3 b11.pdf

DF160R12W2H3_B11 DF160R12W2H3_B11

/ Technical InformationIGBT-DF160R12W2H3_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 160A / I = 320AC nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGB

 2.1. Size:987K  infineon
 df160r12w2h3f b11.pdf

DF160R12W2H3_B11 DF160R12W2H3_B11

/ Technical InformationIGBT-DF160R12W2H3F_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 160A / I = 320AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses thinQ

Другие IGBT... CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , DF1400R12IP4D , DF150R12RT4 , SGT50T65FD1PT , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF600R12IP4D .

 

 
Back to Top