DF400R12KE3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF400R12KE3  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2000 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 580 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS

Encapsulados: MODULE

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DF400R12KE3 datasheet

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DF400R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF400R12KE3 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled diode IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES

 8.1. Size:795K  infineon
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DF400R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF300R07PE4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications An

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