DF400R12KE3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DF400R12KE3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 580 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DF400R12KE3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF400R12KE3 даташит

 ..1. Size:488K  infineon
 df400r12ke3.pdf pdf_icon

DF400R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF400R12KE3 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled diode IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V vj CES

 8.1. Size:795K  infineon
 df400r07pe4r b6.pdf pdf_icon

DF400R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF300R07PE4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications An

Другие IGBT... DF150R12RT4, DF160R12W2H3_B11, DF160R12W2H3F_B11, DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6, DF300R12KE3, BT40T60ANF, DF600R12IP4D, DF650R17IE4, DF650R17IE4D_B2, DF75R12W1H4F_B11, DF80R12W2H3_B11, DF80R12W2H3F_B11, DF900R12IP4D, DF900R12IP4DV