DF650R17IE4D_B2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF650R17IE4D_B2  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4015 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 930 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS

Encapsulados: MODULE

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DF650R17IE4D_B2 datasheet

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DF650R17IE4D_B2

/ Technical Information IGBT- DF650R17IE4D_B2 IGBT-modules PrimePACK 2 and NTC PrimePACK 2 module and NTC / Preliminary Data V = 1700V CES I = 650A / I = 1300A C nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications

 3.1. Size:1680K  infineon
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DF650R17IE4D_B2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF650R17IE4 IGBT-modules PrimePACK 2 Modul und NTC PrimePACK 2 module and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 650A / I = 1300A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu

Otros transistores... DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6, DF300R12KE3, DF400R12KE3, DF600R12IP4D, DF650R17IE4, SGT40N60NPFDPN, DF75R12W1H4F_B11, DF80R12W2H3_B11, DF80R12W2H3F_B11, DF900R12IP4D, DF900R12IP4DV, DIM1000ECM33-TL, DIM1000ECM33-TS, DIM1000NSM33-TL