DF650R17IE4D_B2 Todos los transistores

 

DF650R17IE4D_B2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF650R17IE4D_B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4015 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 930 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DF650R17IE4D_B2 PDF specs

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DF650R17IE4D_B2

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DF650R17IE4D_B2

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