DF650R17IE4D_B2 Todos los transistores

 

DF650R17IE4D_B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF650R17IE4D_B2
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4015 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 930 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 7000 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DF650R17IE4D_B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1940K  infineon
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DF650R17IE4D_B2

/ Technical InformationIGBT-DF650R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK2 and NTCPrimePACK2 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications

 3.1. Size:1680K  infineon
 df650r17ie4.pdf pdf_icon

DF650R17IE4D_B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF650R17IE4IGBT-modulesPrimePACK2 Modul und NTCPrimePACK2 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu

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