Справочник IGBT. DF650R17IE4D_B2

 

DF650R17IE4D_B2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF650R17IE4D_B2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4015 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 930 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 7000 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DF650R17IE4D_B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1940K  infineon
 df650r17ie4d b2.pdf pdf_icon

DF650R17IE4D_B2

/ Technical InformationIGBT-DF650R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK2 and NTCPrimePACK2 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications

 3.1. Size:1680K  infineon
 df650r17ie4.pdf pdf_icon

DF650R17IE4D_B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF650R17IE4IGBT-modulesPrimePACK2 Modul und NTCPrimePACK2 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: T0360NB25A | DF900R12IP4D | STGWT30V60F

 

 
Back to Top

 


 
.