DF650R17IE4D_B2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DF650R17IE4D_B2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4015 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 930 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DF650R17IE4D_B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF650R17IE4D_B2 даташит

 0.1. Size:1940K  infineon
 df650r17ie4d b2.pdf pdf_icon

DF650R17IE4D_B2

/ Technical Information IGBT- DF650R17IE4D_B2 IGBT-modules PrimePACK 2 and NTC PrimePACK 2 module and NTC / Preliminary Data V = 1700V CES I = 650A / I = 1300A C nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications

 3.1. Size:1680K  infineon
 df650r17ie4.pdf pdf_icon

DF650R17IE4D_B2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF650R17IE4 IGBT-modules PrimePACK 2 Modul und NTC PrimePACK 2 module and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 650A / I = 1300A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu

Другие IGBT... DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6, DF300R12KE3, DF400R12KE3, DF600R12IP4D, DF650R17IE4, SGT40N60NPFDPN, DF75R12W1H4F_B11, DF80R12W2H3_B11, DF80R12W2H3F_B11, DF900R12IP4D, DF900R12IP4DV, DIM1000ECM33-TL, DIM1000ECM33-TS, DIM1000NSM33-TL