DF75R12W1H4F_B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF75R12W1H4F_B11
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 11000 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DF75R12W1H4F_B11 IGBT
DF75R12W1H4F_B11 Datasheet (PDF)
df75r12w1h4f b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF75R12W1H4F_B11IGBT-modulesV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features Low Switching Losses Mechanical Fe
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Liste
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