Справочник IGBT. DF75R12W1H4F_B11

 

DF75R12W1H4F_B11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF75R12W1H4F_B11
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 11000 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DF75R12W1H4F_B11

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF75R12W1H4F_B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:952K  infineon
 df75r12w1h4f b11.pdf pdf_icon

DF75R12W1H4F_B11

/ Technical InformationIGBT-DF75R12W1H4F_B11IGBT-modulesV = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features Low Switching Losses Mechanical Fe

Другие IGBT... DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF600R12IP4D , DF650R17IE4 , DF650R17IE4D_B2 , GT30G124 , DF80R12W2H3_B11 , DF80R12W2H3F_B11 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , DIM1000ECM33-TL , DIM1000ECM33-TS , DIM1000NSM33-TL , DIM1000NSM33-TS .

 

 
Back to Top

 


 
.