DF80R12W2H3F_B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF80R12W2H3F_B11
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 320 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
DF80R12W2H3F_B11 Datasheet (PDF)
df80r12w2h3f b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF80R12W2H3F_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 80A / I = 160AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses thinQ
df80r12w2h3f-b11.pdf
DF80R12W2H3F_B11EasyPACK Modul mit schnellem Trench/Feldstopp High-Speed 3 IGBT und SiC Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with fast Trench/Fieldstop High-Speed 3 IGBT and SiC diode and PressFIT / NTCV = 1200VCESI = 80A / I = 160AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar applicationsElektrische Eigenschaften Electrical Features
df80r12w2h3 b11.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF80R12W2H3_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 80A / I = 160AC nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGBT
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History: T0850VB25E | TGAN20N150FD
History: T0850VB25E | TGAN20N150FD
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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