DF80R12W2H3F_B11 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF80R12W2H3F_B11  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS

Encapsulados: MODULE

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DF80R12W2H3F_B11 datasheet

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DF80R12W2H3F_B11

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DF80R12W2H3F_B11

DF80R12W2H3F_B11 EasyPACK Modul mit schnellem Trench/Feldstopp High-Speed 3 IGBT und SiC Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with fast Trench/Fieldstop High-Speed 3 IGBT and SiC diode and PressFIT / NTC V = 1200V CES I = 80A / I = 160A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features

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DF80R12W2H3F_B11

/ Technical Information IGBT- DF80R12W2H3_B11 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 80A / I = 160A C nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGBT

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